STB43N60DM2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB43N60DM2技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑的功率转换方案时，是否曾思考过，一颗MOSFET的性能上限究竟在哪里？今天，我们为您带来一个颠覆性的答案STB43N60DM2。它不仅仅是意法半导体MDmesh DM2系列中的一员悍将，更是集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率管理核心。凭借其600V的漏源电压和高达34A的连续漏极电流，它能轻松应对严苛的工业环境，将能量转换效率提升至全新高度，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借稳定可靠的“心脏”脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，功率器件的每一次开关都关乎着整体系统的生死。STB43N60DM2正是为这些高要求场景而生。其93毫欧的超低导通电阻（在17A，10V条件下），意味着更少的导通损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了无论是严寒还是酷热，您的设备都能持续稳定输出澎湃动力。选择它，就是为您的关键应用上了一道最可靠的保险。

为何众多领先厂商在众多选项中，最终将目光锁定在STB43N60DM2？答案在于其无与伦比的综合价值。MDmesh DM2技术带来了极佳的开关性能与导通电阻平衡，56nC的低栅极电荷让驱动设计更简单，开关速度更快，从而有效降低开关损耗。表面贴装的D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热能力更能将250W的功率耗散潜力充分发挥。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个组件，更是意法半导体深厚的工艺积淀、全球一致的高品质保障以及全方位的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅行无阻。

型号:STB43N60DM2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又能保持高效低温的功率开关而烦恼吗？STB43N60DM2就是您理想的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和34A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，底气十足，轻松应对高功率密度挑战。

它的核心魅力在于极致的效率提升。仅93毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的能量损耗，直接为您带来更低的运营成本和更凉爽的系统运行温度。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，进一步削减开关损耗，让您的整个电源系统运行得更安静、更高效。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力源泉。