STB45N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB45N65M5技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？当效率提升1%都意味着巨大的市场竞争力时，STB45N65M5的出现，正是为破解这一难题而来。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V系列技术的集大成者，以其卓越的650V耐压和35A连续电流能力，为您的电源系统注入强劲而稳定的心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，系统需要持续应对高电压冲击和大电流负载。STB45N65M5凭借其仅为78毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，寿命也更长久。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，不仅提升了整体频率响应，还简化了驱动电路的设计，让您在追求高频高效的道路上步伐更轻盈。

选择STB45N65M5，就是选择了一份经得起验证的安心与超越同级的性能价值。它采用坚固的D2PAK封装，具备出色的散热能力，结合高达210W的功率耗散和150°C的结温工作能力，足以应对最恶劣的工作环境挑战。无论是为了提升现有产品的能效等级以满足更严苛的法规要求，还是为了在新产品设计中构建难以复制的性能壁垒，这颗芯片都是您值得信赖的伙伴。如果您正在寻找可靠的技术支持与供应渠道，专业的ST芯片代理将是您将这份卓越性能转化为市场成功的有力桥梁。让STB45N65M5成为您下一个明星产品的性能基石，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

型号:STB45N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:210W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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面对高压高功率的设计挑战，您需要一个既能扛住压力又能保持高效的核心开关。STB45N65M5正是为此而生。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和35A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于78毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，直接为您提升系统整体效率，让电能转换过程更“冷静”、更经济。

它不仅仅关注静态参数，更优化了动态性能。91nC的栅极电荷和快速开关特性，让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本与尺寸。同时，其D2PAK封装和强大的散热能力，确保了在高达150°C的结温下依然稳定工作，赋予您的产品卓越的可靠性和环境适应性。选择STB45N65M5，就是为您的电源、电机驱动或新能源应用选择一个高效、可靠且易于驾驭的动力核心。