STB46N60M6

当您的电源设计需要在严苛环境下保持稳定输出时，是否曾为功率器件的可靠性和效率而困扰？现在，让我们为您介绍一款能够彻底改变这一局面的解决方案STB46N60M6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和36A连续电流能力，正在成为工业电源、电机驱动和新能源应用中的明星选择。它不仅是一颗晶体管，更是您系统高效、可靠运行的坚实保障。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，这颗芯片能够以极低的导通损耗处理高功率转换；在工业伺服驱动器中，它能确保电机在频繁启停和变速过程中保持精准控制；而在太阳能逆变器里，它又能稳定地将直流电转换为清洁的交流电。其D2PAK封装不仅提供了出色的散热性能，表面贴装设计更让您的生产线实现自动化高效装配，大幅提升生产良率。无论面对-55°C的严寒还是150°C的高温挑战，它都能从容应对，这正是ST汽车级AEC-Q101认证品质的体现。

选择STB46N60M6的理由清晰而有力：80毫欧的超低导通电阻意味着更少的能量损耗和更高的系统效率，53.5nC的低栅极电荷让开关速度更快、驱动更轻松。与市场上同类产品相比，它在功率密度和可靠性之间取得了完美平衡。更重要的是，通过ST授权代理获取这颗芯片，您不仅能确保产品的原装正品和稳定供应，还能获得专业的技术支持和完整的应用解决方案。让STB46N60M6成为您下一代功率设计的核心，它将用卓越的性能回报您的信任，助您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STB46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB46N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STB46N60M6正是为您而来的解决方案。这颗600V/36A的N沟道MOSFET，凭借其80毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高能效。

它采用先进的D2PAK封装和汽车级AEC-Q101认证工艺，确保在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作。无论是电机驱动、电源转换还是新能源应用，它都能让您以更小的散热设计实现更大的功率输出，大幅提升系统可靠性。选择它，就是选择高效与安心。