STB47N50DM6AG

在追求更高能效与可靠性的汽车电子设计中，您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个兼具卓越性能与坚固品质的解决方案STB47N50DM6AG。这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道功率MOSFET，以其高达500V的漏源电压和出色的耐用性，正成为工程师们构建下一代汽车电力系统的信心之选。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，需要高效、安静地处理能量的转换；在引擎控制单元或LED驱动电路中，要求开关动作精准而可靠。STB47N50DM6AG正是为这些严苛场景而生。其汽车级认证意味着它经历了远超工业标准的应力测试，能够从容应对车内剧烈的温度波动、振动以及复杂的电磁环境。无论是48V轻混系统里的DC-DC转换，还是传统燃油车中日益智能化的配电管理，它都能提供坚实的开关基础，让能量流动更高效，系统设计更从容。

选择STB47N50DM6AG，就是选择了一份经过验证的可靠性。其表面贴装型DPAK（TO-263）封装不仅优化了散热性能，便于自动化生产，还节省了宝贵的PCB空间。在供应链方面，通过值得信赖的ST代理合作伙伴，您可以获得稳定的供货保障与专业的技术支持，让您的项目从研发到量产全程无忧。这颗芯片所代表的，不仅是ST在功率半导体领域的深厚积淀，更是您打造更安全、更高效、更智能汽车电子系统的强大助力。立即采用它，为您的设计注入澎湃动力与长久信心。

• 型号:STB47N50DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:71 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起汽车核心功率开关重任的“硬核”芯片吗？STB47N50DM6AG正是您理想的答案。这颗汽车级N沟道500V MOSFET，专为应对严苛的汽车环境而设计，让您轻松实现高效、可靠的电源转换与负载开关控制。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装，具备优异的散热能力和功率处理性能。无论是用于车载充电器、DC-DC转换器，还是电机驱动、LED照明系统，它都能提供稳定强劲的开关表现，显著提升整体能效，并确保您的产品满足汽车行业对质量与耐久性的最高要求。