STB4N62K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB4N62K3技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾高效与可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STB4N62K3这颗源自ST意法半导体的卓越器件之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是基于先进SuperMESH3技术打造的功率管理解决方案，其高达620V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，为您构建坚固的电力防线，让系统在面对电压波动和复杂负载时依然从容不迫。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STB4N62K3正扮演着核心的“电力开关”角色。它凭借仅1.95欧姆的低导通电阻，在导通时将能量损耗降至极低，直接转化为更高的系统效率和更少的热量积累。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，同时显著降低散热设计的复杂度和成本。无论是工业自动化设备中的电机精准启停控制，还是消费类电源适配器中的高效能量转换，这颗芯片都能以其出色的开关特性和高达150°C的结温工作能力，确保在各种严苛应用场景下的长期稳定运行。

选择STB4N62K3，意味着您选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其D2PAK封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达70W），其坚固的表面贴装设计也便于自动化生产，提升您的制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上可能存在的库存，使其依然是许多经典或特定延续性项目的可靠选择。在寻找可靠元器件时，与一家专业的ST芯片代理合作，能帮助您更精准地获取此类经过市场考验的优质器件信息与库存支持，为您的产品成功增添一份保障。让STB4N62K3成为您下一个项目中那个沉默却强大的能量掌控者，驱动创新，赋能未来。

型号:STB4N62K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压开关应用中的效率与可靠性烦恼吗？让STB4N62K3来为您分忧！这颗采用SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。它能轻松应对高达620V的电压和3.8A的连续电流，并以极低的导通电阻（仅1.95欧姆@10V）工作，显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

这意味着，无论是开关电源、电机驱动还是照明系统，STB4N62K3都能提供快速、干净的开关动作，优化整体能效。其坚固的D2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在苛刻环境下的长期稳定性和耐用性。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的性能与安心。