STB50N25M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STB50N25M5，这颗源自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，凭借其卓越的250V耐压和高达28A的连续电流能力，为您的设计注入强劲而可靠的核心动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高性能LED照明驱动器中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STB50N25M5以其低至65毫欧的导通电阻，显著降低了传导损耗，让更多电能高效地传递到负载端，而非转化为无用的热量。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速干净的开关行为，进一步削减了开关损耗。这意味着您的系统可以在更低的温升下运行更稳定，寿命更长，同时为满足日益严苛的能效标准铺平道路。无论是面对频繁启停的严苛工况，还是需要长时间满载运行的考验，它都能从容应对。

选择STB50N25M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它继承了ST在功率半导体领域数十年的技术积淀，MDmesh V技术带来了导通电阻与开关损耗的完美平衡。其坚固的D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，高达110W的功率耗散能力也让设计余量更加充裕。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或高可靠性设计的绝佳选择。为确保您获得正品保障与稳定的供货支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行咨询与采购。让STB50N25M5成为您经典设计中那颗依然闪耀的“心脏”，助力您的产品在性能与可靠性上持续领先。

• 型号:STB50N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STB50N25M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有250V的坚固耐压和28A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的导通电阻与优化的动态参数，能显著降低您电源系统中的导通与开关损耗，从而提升整体能效，让热量管理变得更加轻松。

它基于ST先进的MDmesh V技术打造，旨在为您提供更纯净、更快速的开关性能。无论是用于AC-DC转换、电机控制还是照明镇流器，STB50N25M5都能帮助您构建更紧凑、更高效的解决方案，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。