STB5N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为寻找一颗能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关管而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STB5N62K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其高达620V的漏源电压和优化的动态特性，为您的电源设计注入强劲而稳定的核心动力。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业辅助电源等高压应用场景中，STB5N62K3能够轻松应对。它4.2A的连续漏极电流承载能力和低至1.6欧姆的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接帮助您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，无论是提升能效等级还是延长使用寿命，它都是您可靠的伙伴。选择它，就是选择了一份来自ST先进工艺的保障。

为何众多工程师在面临关键选型时，会持续信赖这颗芯片？答案在于其卓越的综合价值。它不仅提供了宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保在严苛环境下稳定运行，其D2PAK封装更兼顾了优异的散热性能和坚固的机械结构。尽管该型号已进入停产状态，但通过我们这样可靠的ST授权代理，您依然可以获得稳定、有保障的货源和专业的技术支持，让您的产品生命周期管理无后顾之忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您构建高效、耐用电力系统的基石，是平衡性能、可靠性与长期供应风险的智慧之选。

• 型号:STB5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压开关应用中的损耗和散热问题头疼吗？让STB5N62K3来为您分忧！这颗采用ST先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和4.2A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等场景的主功率开关角色。

它的核心魅力在于高效。低至1.6欧姆的导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（仅26nC）则让开关速度更快、损耗更小。这意味着您的系统整体效率更高，发热更少，运行更稳定。采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，让您在设计高可靠性产品时信心十足。