STB5NK50Z-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB5NK50Z-1技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡？当面对500V高压应用场景时，一颗兼具出色性能与稳定性的MOSFET往往是决定项目成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的卓越解决方案STB5NK50Z-1，它正是为应对此类挑战而生的强大引擎。

这颗隶属于ST SuperMESH产品家族的N沟道MOSFET，绝非普通的功率开关。它拥有高达500V的漏源击穿电压，能够在严苛的高压环境下游刃有余，为您的系统筑起坚实的安全屏障。同时，其4.4A的连续漏极电流承载能力，确保了充沛的功率吞吐。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至1.5欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是面对频繁开关的PWM控制，还是需要持续导通的线性应用，其优化的栅极电荷和输入电容特性都能让驱动电路设计变得更为轻松，响应迅速而精准。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或是电机驱动控制板中，STB5NK50Z-1正在默默发挥着核心作用。它那TO-262（I2PAK）的坚固封装，不仅提供了优异的散热性能，能承受高达70W的功率耗散，也使其在通孔安装的工艺中稳固可靠，适应从工业级到消费级的广泛温度范围（-55°C至150°C）。这意味着，从家用电器中的高效电源模块，到工业设备里的可靠功率单元，甚至是需要应对复杂电磁环境的专业领域，它都能成为您值得信赖的“功率心脏”。

选择STB5NK50Z-1，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体背书的技术保障。其SuperMESH技术代表了低导通电阻与高开关速度的完美平衡，这是经过市场长期验证的成熟工艺。虽然该型号目前已处于停产状态，但对于许多现有产品线的维护、升级或特定批量的生产而言，它依然是经过验证的优选方案。通过正规的ST授权代理渠道，您不仅可以确保获得原装正品，保障供应链的稳定与可靠，更能获得专业的技术支持与选型服务。让这颗凝聚了尖端技术的功率器件，为您的产品注入高效、稳定与持久的动力，在激烈的市场竞争中赢得先机。

型号:STB5NK50Z-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-262（I2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
现在可以订购STB5NK50Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、同时保持高效与可靠的功率开关吗？STB5NK50Z-1正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有4.4A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通损耗在10V驱动下导通电阻仅1.5欧姆，能显著减少发热，提升系统整体能效。

它让您的电源设计事半功倍。优化的栅极电荷（仅28nC）和输入电容，意味着驱动更简单、开关速度更快，特别适合高频开关电源、PFC电路及照明驱动等应用。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，可在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都持久耐用。