STB6N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为开关损耗、热管理和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB6N62K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道功率MOSFET，以其620V的高耐压和5.5A的连续电流能力，早已成为众多高效电源和电机驱动设计中的中流砥柱。即便在宣布停产后，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其成为库存优选和特定项目延续的可靠保障，通过专业的ST芯片代理渠道，您依然可以获取这颗经典芯片，为您的产品注入历久弥新的动力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是反激式还是正激式拓扑，STB6N62K3都能凭借其低至1.2欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低导通损耗和开关损耗，让电源效率轻松攀升。在电机控制领域，从家用电器中的风扇、泵机到工业自动化设备，它都能提供强劲、平滑的驱动能力，确保电机启动迅速、运行平稳。其D2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，即使面对90W的功率耗散和高达150°C的结温挑战，也能游刃有余，保障系统在严苛环境下的长期稳定运行。

选择STB6N62K3，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。SuperMESH3技术确保了它在高电压下依然拥有出色的开关性能和坚固性，有效抵御雪崩击穿，提升系统鲁棒性。对于许多成熟产品线或需要维护长期供应链稳定的项目而言，这颗芯片的存量市场依然活跃。它不仅能帮助您快速完成设计验证，缩短上市时间，更能凭借其久经考验的可靠性，大幅降低后期维护风险和成本。当您需要一颗能扛起高压、高效、高可靠大旗的功率开关时，STB6N62K3无疑是您值得托付的经典之选。

• 型号:STB6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB6N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STB6N62K3正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的极低导通电阻（仅1.2欧姆）与优化的动态特性。

这意味着，在您的开关电源或电机驱动电路中，它能显著减少能量损耗，让系统运行更凉爽、更高效。高达90W的功率处理能力和150°C的工作结温，赋予了它卓越的可靠性与耐久度。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲且稳健的动力核心，轻松应对各种严苛应用挑战。