STB6N65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与体积而妥协？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STB6N65M2之中。

这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，绝不仅仅是一个简单的开关。它承载着650V的高压阻断能力，却能以仅1.35欧姆的超低导通电阻（Rds(on)）流畅处理高达4A的连续电流。这意味着在开关电源、电机驱动或照明镇流器等关键应用中，它能将导通损耗降至极低，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。其采用的先进MDmesh技术，正是实现这种高性能平衡的核心，让能量转换过程更加“冷静”且高效。

无论是面对工业电机驱动中频繁的启停冲击，还是LED驱动电源里对稳定性的严苛要求，STB6N65M2都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关动作，有效减少开关损耗，同时抑制电压尖峰，为系统可靠性加上一道坚实的保险。表面贴装的D2PAK封装不仅提供了出色的功率处理能力（最大耗散功率60W），其优异的散热特性更能让您的设计在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行，从容应对各种恶劣环境挑战。

选择STB6N65M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它代表了ST在功率半导体领域的深厚积淀，能够帮助您轻松提升产品能效等级，缩小电源模块体积，并显著增强系统的耐用性。当您需要为下一个项目寻找这颗性能标杆时，可以信赖专业的ST芯片代理，他们能为您提供从选型支持到稳定供应的全方位服务，确保您的创新之路畅通无阻。让STB6N65M2成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子产品的强大引擎。

• 型号:STB6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB6N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高电压与高效率的“心脏”吗？STB6N65M2 N沟道功率MOSFET正是为您而来。它凭借650V的漏源电压和仅1.35欧姆的低导通电阻，让您在处理高达4A电流时，也能大幅降低导通损耗，轻松提升系统能效。

这颗芯片采用ST先进的MDmesh技术，开关特性优异，栅极电荷低至9.8nC，能实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰。其坚固的D2PAK封装提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下仍能稳定工作，让您的电源适配器、电机驱动或照明系统设计更紧凑、运行更可靠、寿命更长久。