STB6NK90ZT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB6NK90ZT4技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STB6NK90ZT4这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、强化产品可靠性的强大引擎。凭借高达900V的漏源电压和5.8A的连续漏极电流能力，它天生就是为应对严苛的功率转换挑战而设计，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有从核心开始的性能优势。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是工业电机驱动应用中，系统需要处理高电压、大电流的切换。STB6NK90ZT4正是为此类场景而生。它采用先进的SuperMESH技术，在导通电阻与开关损耗之间取得了精妙的平衡。这意味着在功率转换过程中，更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效利用，直接帮助您降低系统温升，提升整体效率，并可能简化散热设计，让您的产品运行更安静、更持久。无论是面对复杂的工业环境，还是追求极致能效的消费类产品，它都能游刃有余。

选择STB6NK90ZT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着它能够被快速驱动，实现更迅捷的开关速度，这对于提升开关频率、减小磁性元件尺寸至关重要。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的D2PAK封装，确保了它在各种恶劣条件下都能稳定工作，大大增强了终端产品的环境适应性和使用寿命。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程服务。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件，成为您下一代创新产品中最值得信赖的核心。

型号:STB6NK90ZT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STB6NK90ZT4来为您解决！这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的耐压和5.8A的电流处理能力，专为高效、可靠的功率开关而优化。

它能为您做什么？它能让您的开关电源、照明驱动或电机控制电路运行得更高效、更凉爽。其低至2欧姆的导通电阻和优化的动态参数，显著降低了导通与开关损耗，直接提升系统能效，并让您的散热设计更轻松。同时，其坚固的封装和宽温度范围，确保了在各种应用环境下都能稳定工作，是您打造高性能、高可靠性产品的理想功率开关选择。