STB6NM60N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性的两难抉择？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB6NM60N。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和4.6A的连续电流能力，早已成为众多高效开关电源、照明驱动和工业电机控制应用的“心脏”。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。

想象一下，在您的LED驱动电源中，需要一颗开关器件在高压下快速、稳定地工作，同时将导通损耗降至最低。STB6NM60N正是为此而生。其920毫欧的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业变频器中的功率单元，它都能凭借出色的热性能（45W的功率耗散能力）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的设计在各种严苛环境下稳定运行，大幅延长产品寿命。

选择STB6NM60N，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与卓越性能的传承。尽管该型号目前已停产，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典方案升级或维护的优选。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合表面贴装工艺。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您依然可以获得可靠的产品供应与专业的技术支持，确保您的生产链条顺畅无阻。让这颗凝聚了ST尖端MDmesh II技术的芯片，继续为您的创新注入强劲而高效的动力。

• 型号:STB6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB6NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色热管理的功率开关管吗？STB6NM60N正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和4.6A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅920毫欧）和优化的栅极电荷（Qg），让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

基于ST先进的MDmesh II技术，它能在高频开关应用中显著降低开关损耗，提升整体系统效率。其坚固的D2PAK封装确保了卓越的功率耗散能力（高达45W），配合-55°C至150°C的宽广工作结温，让您的产品在面对复杂工况时依然稳定可靠。选择它，就是为您的功率转换核心选择了一位高效、耐用的“执行者”。