STB75N20

当您的电源系统需要处理高达75A的持续电流，同时还要在200V的高压下保持稳定可靠，您是否曾为寻找一颗既能承受严苛工况又能保持高效率的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体STripFET家族的明星产品STB75N20，这颗N沟道MOSFET正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、增强产品可靠性的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源或是不间断电源（UPS）的核心电路中，每一次开关都伴随着巨大的能量转换。正是这些关键应用场景，对功率器件的导通损耗和开关速度提出了近乎苛刻的要求。STB75N20凭借其仅为34毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在37A的大电流下，能将导通损耗降至极低水平，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率得到显著提升。高达190W的功率耗散能力，配合D2PAK封装优异的散热特性，让它在高负荷下也能从容应对，确保您的设备长时间稳定运行。

选择STB75N20，就是选择了一份从容与安心。其高达200V的漏源电压（Vdss）提供了宽裕的安全裕度，有效抵御电网波动或负载突变带来的电压尖峰。10V的驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Qg）控制得当，让驱动电路设计更为简化，开关速度更快，从而进一步降低开关损耗。从-50°C到150°C的宽广工作结温范围，意味着它能够适应从严寒到酷热的各类极端环境，无论是户外通信基站还是工厂车间的自动化设备，都能游刃有余。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商，您依然可以获取可靠的库存或替代方案咨询，确保您的供应链与产品设计无缝衔接。

将STB75N20集成到您的设计中，您收获的将不仅仅是参数的提升。它代表的是意法半导体在功率半导体领域深厚的技术积淀，是STripFET工艺带来的性能与可靠性的双重保障。这颗芯片能帮助您打造出效率更高、发热更少、寿命更长的终端产品，从而在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的持久信赖。当性能与稳健成为您的不二追求时，STB75N20就是那个值得您托付重任的伙伴。

• 型号:STB75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB75N20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大功率转换重任的“核心引擎”吗？STB75N20正是这样一款专为高效能量控制而生的N沟道功率MOSFET。它拥有200V的耐压和高达75A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅34毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求应用。优异的开关特性（低栅极电荷）配合D2PAK封装强大的散热能力，确保了快速、可靠的开关性能与出色的热管理，直接提升系统整体能效和功率密度。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。