STB78NF55-08 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB78NF55-08技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换与电机驱动领域，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持稳定、低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB78NF55-08。这款来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和仅8毫欧的超低导通电阻，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品能效、增强系统可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或大功率DC-DC转换器中，电流如江河奔涌。STB78NF55-08凭借其STripFET II技术的深厚底蕴，能够轻松驾驭这些严苛场景。其55V的漏源电压和高达300W的功率耗散能力，为系统提供了宽广的安全工作区和强大的过载裕度。无论是应对瞬间的电流冲击，还是在-55°C至175°C的广阔温度范围内持续运行，它都能保持卓越的稳定性，让您的设计无惧环境挑战，从容应对各种复杂工况。

选择STB78NF55-08，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠保障。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典设计和市场存量价值，对于许多成熟或长生命周期产品而言，它依然是经过验证的优选。其D2PAK封装兼顾了优异的散热性能和自动化贴装的便利性。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您可以确保获得正品货源与稳定的供应支持，为您的项目保驾护航。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，成为您打造高效、强劲、可靠下一代产品的坚实基石。

型号:STB78NF55-08
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-263（D2PAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在设计需要处理大电流的电源或电机控制方案吗？STB78NF55-08正是为您而来的得力助手。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达80A的连续电流，并以低至8毫欧的导通电阻，显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得更简单。

基于先进的STripFET II技术，它在55V电压和宽广的温度范围内（-55°C ~ 175°C）都能保持稳定表现。无论是用于高效的DC-DC转换、电机驱动桥臂，还是其他需要快速开关和低损耗的功率路径，它都能让您的设计更高效、更可靠。其D2PAK封装确保了出色的功率耗散能力（高达300W），让您能从容应对高功率密度挑战。