STB7N52K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对525V甚至更高的电压平台，传统的MOSFET往往在导通损耗与开关速度之间难以两全。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STB7N52K3，它不仅是一颗高性能N沟道MOSFET，更是您构建下一代高效、紧凑型电源解决方案的坚实基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是电动汽车的辅助电源系统中，STB7N52K3正以其卓越的性能默默发挥着核心作用。其高达525V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流能力，为高压侧开关提供了充裕的安全裕量。更令人振奋的是，得益于先进的SuperMESH3技术，它在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）被显著降低至仅980毫欧（@3.1A）。这意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STB7N52K3，就是选择了一份从容与可靠。其极低的栅极电荷（Qg最大值34nC）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，这不仅简化了驱动电路的设计，更能有效降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。表面贴装的D2PAK封装，结合高达90W（Tc）的功率耗散能力，在提供强大散热性能的同时，也为PCB布局节省了宝贵空间。无论您是在升级现有产品线，还是开发面向未来的创新项目，这颗芯片都能让您的设计游刃有余。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的ST芯片代理团队随时准备为您服务，助您将顶尖的半导体技术转化为产品的核心竞争力。

• 型号:STB7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB7N52K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STB7N52K3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和6A的强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅980毫欧），能显著减少传导过程中的能量浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率倍增器。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件的体积，降低整体系统成本。采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，确保在严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏。