STB80NF03L-04-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB80NF03L-04-1技术参数详情：

想象一下，在您的电源管理或电机驱动系统中，每一次开关都意味着能量的损耗和效率的降低。当您追求极致的能效和紧凑的设计时，一个关键元件的选择往往决定了整个方案的成败。今天，我们向您隆重介绍一款即使在苛刻条件下也能稳定发挥的功率开关解决方案STB80NF03L-04-1。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师们在30V应用领域信赖的伙伴。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是电动工具中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对可靠性和温度范围有极高要求的负载开关，STB80NF03L-04-1都能从容应对。它高达80A的连续漏极电流承载能力和低至4毫欧的导通电阻，意味着在您需要大功率输出的同时，它能将导通损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为有效功，而不是令人头疼的热量。其宽广的-60°C至175°C结温工作范围，更是赋予了产品在极端环境下稳定运行的底气。

选择它，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET。您选择的是STripFET II系列久经考验的技术传承，是意法半导体在功率半导体领域深厚的积累。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性价比，使其在特定应用和库存市场中依然闪耀着价值。当您需要可靠的货源和技术支持时，可以随时联系我们的ST中国代理，获取专业的选型建议和供应链服务。让STB80NF03L-04-1成为您提升产品竞争力、优化系统效率的得力助手，它将用实实在在的性能表现，为您的设计注入强大而可靠的动力核心。

型号:STB80NF03L-04-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-60°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在为寻找一款能兼顾大电流与低损耗的30V级功率开关而烦恼吗？STB80NF03L-04-1正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有80A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于低至4毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它让您轻松驾驭从电机驱动到电源转换的各种应用。优异的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关行为，让控制更精准，响应更迅捷。高达300W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-60°C ~ 175°C），则赋予了它应对严苛环境挑战的可靠性，是您构建高效、稳健电力系统的理想基石。