STB80NF10T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB80NF10T4技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在100V电压下承载80A大电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STB80NF10T4带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键引擎。其卓越的电气特性，直接转化为更低的能耗、更小的发热量以及更紧凑的散热设计，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得性能和可靠性的双重口碑。

无论是驱动高速运转的工业电机，还是为数据中心服务器电源提供稳定高效的DC-DC转换，亦或是新能源领域如太阳能逆变器、车载充电机（OBC）中的核心开关，STB80NF10T4都能游刃有余。它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在严苛环境下依然稳定可靠，而D2PAK封装则提供了优异的功率处理能力和便于自动化生产的表面贴装便利性。这意味着，从工厂自动化产线到飞驰的电动汽车，从永不间断的通信基站到千家万户的智能家电，它的身影无处不在，默默支撑着现代电力电子的高效运转。

选择STB80NF10T4，就是选择了一份来自意法半导体STripFET II技术的品质保证。其低至15毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，高达300W的功率耗散能力提供了充足的安全余量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，进一步减少了开关损耗，从而整体提升系统效率。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，获取正品STB80NF10T4，无疑是确保项目成功、加速产品上市的最明智决策。它不仅仅满足当下的参数需求，更是为产品未来的升级与可靠性奠定了坚实基础。

型号:STB80NF10T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:182 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住高电压，同时还能保持冷静高效的功率开关核心吗？STB80NF10T4正是为此而生。这款N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅15毫欧@10V），能显著降低导通状态下的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更小的发热量。

得益于意法半导体先进的STripFET II技术，它实现了优异的开关性能与稳健性的平衡。较低的栅极电荷让驱动更轻松、开关速度更快，从而减少开关损耗。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的功率电路注入一颗强劲而高效的‘心脏’。