STB80NF55-08AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB80NF55-08AG技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低温高效运行的功率开关而反复权衡？答案就在这里。今天，我们向您隆重介绍一款专为严苛应用而生的功率器件STB80NF55-08AG。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET技术精华的凝聚，旨在为您的系统注入澎湃动力与坚如磐石的稳定性。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元中，电流如江河奔涌；在工业伺服系统的瞬间启停间，功率需求瞬息万变；或是在高密度服务器电源模块内，散热空间极其有限。STB80NF55-08AG正是为应对这些挑战而设计。其高达80A的连续漏极电流承载能力和仅8毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率输出下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热损耗。这不仅直接提升了系统整体效率，更让散热设计变得更为从容，有效延长了设备的使用寿命并降低了运行噪音。

选择STB80NF55-08AG，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于意法半导体的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，历经了远超工业标准的严苛测试，确保在-55°C至175°C的极端结温范围内性能始终如一。这种与生俱来的高可靠性，让它不仅能轻松驾驭工业自动化、通信电源等传统领域，更是新能源汽车、车载充电器等前沿应用的理想心脏。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您获得的每一颗芯片都源自正规渠道，品质纯正，供货稳定，为您产品的量产与长期市场成功保驾护航。

归根结底，在功率电子领域，细节决定成败。STB80NF55-08AG以其卓越的电气性能、卓越的可靠性和DPAK封装带来的优异散热能力，为您提供了一个简化设计、提升性能、降低总成本的绝佳解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电力系统的强大基石。立即体验，让它为您的创意注入无限可能！

型号:STB80NF55-08AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在设计需要处理大功率的电路吗？STB80NF55-08AG正是您需要的强大引擎。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有55V的漏源电压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅8毫欧。这意味着它能极大地减少开关和导通过程中的功率损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。

更令人放心的是，它基于先进的STripFET技术打造，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保了从工业电机驱动到新能源汽车电控等严苛环境下的卓越可靠性与长寿命。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力与安心的保障。