STB80NF55-08T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB80NF55-08T4技术参数详情：

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗性能卓越的MOSFET能带来多大的改变？今天，我们向您隆重介绍一款在工业电源、电机驱动和DC-DC转换领域久经考验的功率开关解决方案STB80NF55-08T4。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的得力助手。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其STripFET技术的深厚底蕴，在55V的电压平台下，能够持续承载高达80A的电流。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流条件下，Rds(On)最大值仅为8毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统整体效率，以及更小的散热设计压力。无论是服务器电源需要应对突发的峰值负载，还是电动工具电机要求瞬间爆发大扭矩，它都能游刃有余，确保动力输出的稳定与强劲。

想象一下，在自动化产线的电机驱动板上，或是新能源车的车载充电机(OBC)中，STB80NF55-08T4正默默发挥着关键作用。其D2PAK封装不仅提供了优异的功率处理能力和散热特性，也兼容成熟的表面贴装工艺，便于自动化生产，提升您的制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）赋予了它应对严苛环境挑战的底气，从北方的严寒到设备内部的高温，性能始终如一。选择它，就是为产品的长期可靠运行增添了一份坚实的保障。

为何众多工程师在需要高性能、高可靠性N沟道MOSFET时会青睐于此？答案在于其卓越的性能价值比。它平衡了电压、电流、导通损耗和开关特性，是构建高效同步整流、电机控制桥臂以及各类开关电源的理想选择。虽然该型号已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的原装现货，确保您的设计延续性与生产计划不受影响。让这颗凝聚了ST尖端功率半导体技术的芯片，成为您撬动更高能效目标的支点，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出。

型号:STB80NF55-08T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STB80NF55-08T4正是为您而来。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值仅8毫欧@10V）。这意味着它能显著降低开关和导通过程中的功率损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的电源或电机驱动设计轻松应对高负荷挑战。

它采用坚固的D2PAK封装，散热性能优异，非常适合空间紧凑但功率密度要求高的应用。无论是构建高效的同步整流电路、驱动直流电机，还是用于各类DC-DC转换器，STB80NF55-08T4都能提供稳定可靠的性能。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。