STB8N90K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB8N90K5技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压、高功率密度与散热性能的平衡而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STB8N90K5。这颗900V、8A的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、赢得市场竞争的得力武器。它采用先进的超结技术，将低导通电阻与卓越的开关性能完美结合，让能量转换过程前所未有的高效、顺畅。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明方案中，STB8N90K5正扮演着核心角色。它高达900V的漏源击穿电压，轻松应对严苛的工业电压波动和反峰冲击，为系统筑起坚固的防线。其D2PAK封装不仅提供了出色的功率处理能力（最大耗散功率130W），更拥有优异的散热特性，确保设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，无论是严寒还是酷热的环境，都能让您的产品表现始终如一。选择它，就是为您的充电桩、UPS不间断电源或光伏逆变器注入了持久可靠的动力心脏。

为何众多工程师在高压开关应用中对STB8N90K5青睐有加？其根本在于它带来的综合价值远超一个简单的参数表。极低的栅极电荷和优化的内部结构，显著降低了开关损耗，这意味着您的系统效率更高，发热更少，整体设计可以更紧凑。同时，其稳健的栅极耐受电压（±30V）提供了更宽的安全设计裕度，简化了驱动电路设计。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾，确保您的项目从研发到量产一路畅通。选择STB8N90K5，不仅是选择了一颗高性能的芯片，更是选择了一个经过市场验证的解决方案，一个能助您加速产品上市、提升终端产品竞争力的强大伙伴。

型号:STB8N90K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 1.17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:130W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STB8N90K5正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的高耐压和8A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，轻松应对高压环境，实现高效、稳定的能量控制。

它凭借仅800毫欧的低导通电阻（@10V Vgs），大幅降低了导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的动态性能和D2PAK封装带来的出色散热能力，确保芯片在高功率运行下依然保持冷静与可靠。选择STB8N90K5，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且值得信赖的“动力核心”，让您的设计脱颖而出。