STB95N3LLH6

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够在高达80A的电流下稳定运行，同时将导通电阻压降至仅4.2毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局。这正是STB95N3LLH6带来的震撼价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为那些对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用而生。

当您的设计涉及同步整流、电机驱动或高功率DC-DC转换时，每一毫欧的电阻降低都意味着显著的效率提升和热量减少。STB95N3LLH6凭借其卓越的4.2毫欧@10V超低导通电阻，能轻松应对这些挑战，让系统运行更凉爽、更持久。其高达175°C的结温能力和70W的功率耗散，确保了即使在恶劣环境下也能游刃有余。无论是服务器电源、工业自动化设备，还是新能源车的辅助电源模块，这颗芯片都能成为其中坚不可摧的“能量阀门”，精准控制大电流的通断，释放系统的全部潜能。

选择STB95N3LLH6，就是选择了一种经过验证的高性能解决方案。它采用坚固的D2PAK封装，非常适合表面贴装工艺，便于生产并提升板级可靠性。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在特定存量项目和追求极致稳定性的设计中依然极具吸引力。对于需要此类高性能器件的工程师，通过可靠的ST代理渠道获取原装正品，是保障项目成功的关键一步。让STB95N3LLH6的强大性能，成为您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器，用更少的能量损耗，创造更大的价值输出。

• 型号:STB95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB95N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STB95N3LLH6正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，能在30V电压下承载高达80A的连续电流，而其惊人的4.2毫欧超低导通电阻（@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，发热大幅降低。

它能让您轻松驾驭同步整流、大功率DC-DC转换和电机控制等应用。极低的栅极电荷和快速的开关特性，确保了高效的高频操作，同时其坚固的D2PAK封装和175°C的高结温能力，赋予了它卓越的功率处理能力和可靠性。选择它，就是为您的核心功率电路注入一剂强心针，实现更紧凑、更高效、更稳定的系统设计。