STB95N4F3

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗MOSFET能够在高达80A的电流下，将导通电阻压降至惊人的5.8毫欧，这意味着什么？这意味着更低的功耗、更少的热量以及前所未有的系统可靠性。这正是STB95N4F3为您带来的核心价值它不仅仅是一个开关，更是您提升整机效率、赢得市场竞争力的关键引擎。

这颗基于STripFET III先进技术的N沟道MOSFET，专为应对严苛的高电流、高效率应用场景而生。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是工业电机驱动中需要快速响应的功率开关，甚至是新能源车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块，STB95N4F3都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达175°C的结温工作能力，确保了在复杂工况下的稳定表现，让您的设计从容应对电压波动与环境挑战。当您需要构建更紧凑、更可靠的功率链路时，选择它，就是选择了经过市场验证的卓越性能。

为何众多领先的设计师持续信赖这款产品？答案在于它无与伦比的综合性能与易用性。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着驱动它更加轻松，能显著降低开关损耗，提升系统频率，从而让您的电源设计可以做得更小、更高效。D2PAK的标准封装提供了优异的散热能力和成熟的焊接工艺，极大简化了生产制造。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得稳定库存与专业的技术支持，为现有产品的长期维护和升级提供坚实保障。选择STB95N4F3，不仅是选择一个元件，更是选择一份让产品持续领先的性能承诺。

• 型号:STB95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STB95N4F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、压降却微乎其微的功率开关吗？STB95N4F3正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有80A的连续电流承载能力，而导通电阻低至5.8毫欧，能极大程度减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备优异的开关特性。仅需10V驱动电压即可实现超低阻抗，同时其栅极电荷极小，这让您能够轻松实现高速开关，有效提升系统整体频率与功率密度。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是各类功率控制，它都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性更上一层楼。