STB9NK70Z-1

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对700V高压应用场景时，选择一款兼具低损耗与强健性的MOSFET，往往是决定整个系统成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的卓越解决方案STB9NK70Z-1。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

这颗隶属于SuperMESH产品家族的明星，以其高达700V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流，为您构筑了坚实的安全屏障。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅1.2欧姆的阻值意味着更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，STB9NK70Z-1能够以更“冷静”的姿态处理高压大电流的切换任务，让您的设备运行更持久、更稳定。其优化的栅极电荷设计，确保了快速且干净的开关特性，这对于提升开关频率、减小磁性元件尺寸、最终实现电源产品的小型化与轻量化至关重要。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要长时间不间断运行的消费类高端电源，STB9NK70Z-1都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的I2PAK通孔封装，赋予了它卓越的环境适应性和散热能力，确保在振动、高温等挑战下依然性能如一。选择它，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。虽然该型号目前已停产，但对于许多现有产品线的维护、升级或特定批量的需求而言，它依然是经过市场长期验证的可靠之选。您可以通过值得信赖的ST中国代理渠道，获取关于库存、替代方案或技术支持的全面服务，确保您的供应链顺畅无阻。让STB9NK70Z-1的卓越性能，成为您产品可靠性与高效能的最佳背书，助力您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STB9NK70Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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您正在寻找一颗能轻松驾驭700V高压开关任务的“强力心脏”吗？STB9NK70Z-1正是为您而来。这颗N沟道SuperMESH MOSFET，凭借其7.5A的强电流承载能力和低至1.2欧姆的导通电阻，能让您的电源转换效率显著提升，同时大幅降低导通损耗带来的发热问题。

它让您在设计工业电源、电机控制或照明镇流器时更加得心应手。优化的动态参数，如较低的栅极电荷，确保了快速干净的开关性能，帮助您简化驱动电路设计，并有效减少电磁干扰。其坚固的I2PAK封装和宽温度工作范围，更是为产品的长期可靠运行提供了坚实保障。