STB9NK80Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STB9NK80Z技术参数详情：

当您需要一款能够在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在STB9NK80Z这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、增强产品耐用性的关键引擎。想象一下，在您的电源设计中，它能轻松应对高达800V的电压挑战，以卓越的导通性能和极低的损耗，将电能转换效率推向新的高度，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是面对工业自动化设备中复杂的电机驱动，还是新能源汽车充电桩里要求严苛的功率转换，STB9NK80Z都能从容应对。它专为汽车级（Automotive, AEC-Q101）应用而生，这意味着它经过了远超工业标准的严格测试，能够在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，无惧环境挑战。在服务器电源、不间断电源（UPS）、照明驱动等高功率密度应用中，其SuperMESH技术带来的低导通电阻（Rds(on)）特性，能显著减少发热，提升系统整体可靠性，让您的设计更紧凑、运行更安静、寿命更长久。

选择STB9NK80Z，就是选择了一份由意法半导体提供的品质承诺。其D2PAK封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达125W的功率耗散，更便于自动化生产，提升您的制造效率。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，能效表现更优异。当您寻求稳定可靠的供货与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将STB9NK80Z纳入您的下一代设计，开启高效、可靠、高性能的电源管理新篇章！

型号:STB9NK80Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:D2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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还在为寻找一款能兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关而烦恼吗？让STB9NK80Z来为您解决难题！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和5.2A的连续电流能力，是您构建坚固电源系统的理想基石。

它采用先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。其汽车级（AEC-Q101）认证和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在最严苛的工业与汽车环境中也能稳定如一，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。