STD100N03LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD100N03LT4技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率密度和热损耗而妥协？想象一下，一款能在30V电压下承载高达80A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的5.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到负载端。这正是STD100N03LT4带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，专为应对严苛的功率转换挑战而生。

无论是服务器电源中需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中负责大电流通断的负载开关，甚至是汽车辅助系统中的电机驱动，STD100N03LT4都能游刃有余。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在复杂多变的环境下依然稳定可靠。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。

选择STD100N03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，为现有产品线的维护和升级提供坚实保障。在功率电子领域，每一个细节都关乎成败，让这颗凝聚了尖端技术的芯片，成为您打造高效、紧凑、可靠产品的秘密武器。

型号:STD100N03LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？STD100N03LT4正是为您而来。它基于意法半导体先进的STripFET技术，拥有30V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，而其核心魅力在于极低的5.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片能轻松应对快速开关的挑战。其优化的栅极特性（如仅27nC的栅极电荷）让驱动更简单，开关速度更快，从而提升系统整体频率和功率密度。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能帮助您简化设计，在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，确保最终产品的卓越性能和长久耐用。