STD100N3LF3

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备超低导通损耗的功率开关而困扰？今天，我们为您带来的STD100N3LF3，正是意法半导体STripFET II系列中的一颗明星产品，它将用高达80A的连续漏极电流和低至5.5毫欧的导通电阻，重新定义您的电源设计效率边界。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换模块或电动工具的动力驱动单元中，每一瓦特的损耗都意味着能量的浪费和散热成本的增加。STD100N3LF3正是为此类严苛应用而生。其卓越的电气特性，例如仅需5V的低驱动电压即可实现优异导通性能，以及高达175°C的结温工作能力，确保了它在高负载、高环境温度下的稳定与可靠。无论是应对瞬间的峰值电流，还是在持续的高功率输出场景下，它都能游刃有余，成为系统坚固的“心脏”。

选择STD100N3LF3，不仅仅是选择了一颗高性能的N沟道MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的可靠解决方案。其采用的DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，非常适合现代紧凑型电子设备。极低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关电源的整体频率和效率至关重要。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率链路时，这颗芯片提供的不仅仅是参数，更是实实在在的性能保障和设计余量。我们信赖的ST代理商网络，能确保您快速、便捷地获得这颗优质芯片，让您的产品从设计之初就占据性能制高点。

• 型号:STD100N3LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源模块的效率和发热问题头疼吗？让STD100N3LF3来为您分忧！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达80A的电流承载能力，其核心价值在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅5.5毫欧。这意味着它能显著降低您在开关状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效。

它专为高效功率转换而优化。极低的栅极电荷让开关动作干净利落，减少开关损耗；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则赋予了它应对恶劣环境与持续高负载的坚韧体魄。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，STD100N3LF3都能让您的设计更高效、更可靠，轻松应对高电流挑战。