STD100NH03LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD100NH03LT4技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够承载60A大电流，同时将导通电阻降至仅5.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能效提升？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STD100NH03LT4，它正是为解决这些核心挑战而生。

这款采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，以其卓越的电气参数重新定义了30V应用场景的性能标杆。其超低的Rds(on)意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。这不仅直接提升了终端产品的续航能力或运行效率，更简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑、更可靠。无论是繁忙的服务器电源、要求严苛的工业电机驱动，还是需要快速响应的电动工具和汽车辅助系统，STD100NH03LT4都能游刃有余，确保动力输出的澎湃与纯净。

选择STD100NH03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它继承了意法半导体一贯的高品质与高可靠性，宽达-55°C至175°C的结温工作范围，使其能够从容应对各种恶劣环境挑战。其优化的栅极电荷（Qg）特性，让驱动电路设计更为轻松，有助于实现更高的开关频率，从而进一步缩小系统中无源元件的体积和成本。当您致力于打造更高效、更紧凑、更具竞争力的电源或驱动方案时，这颗芯片提供的不仅仅是参数上的优势，更是整体系统优化和成本控制的关键钥匙。我们作为专业的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品，更能提供深入的技术支持与供应链保障，让您的创新之路无后顾之忧。

型号:STD100NH03LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的核心功率开关吗？STD100NH03LT4正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达60A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的5.5毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它基于成熟的STripFET III技术，具备优异的开关特性。优化的栅极电荷和电容参数，让您能够轻松实现高效、快速的开关控制，从而提升系统整体响应速度与功率密度。无论是用于DC-DC转换器、电机桥臂还是负载开关，STD100NH03LT4都能以稳定可靠的性能，助您构建更加强劲、紧凑且节能的电子系统。