STD10N60DM2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一体的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD10N60DM2。这款来自意法半导体MDmesh DM2系列的王牌产品，正是为应对严苛的工业与消费类应用而生的高效解决方案。

当您需要构建一个可靠的反激式开关电源、设计一台高效的电机驱动设备，或是优化LED照明系统的功率级时，STD10N60DM2的650V高漏源电压和8A连续漏极电流能力，为您提供了充足的性能余量和安全边际。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。这颗芯片卓越的开关特性，意味着在PWM控制下更快的响应速度和更低的开关损耗，直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效。

选择STD10N60DM2，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。其MDmesh DM2技术核心，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的完美平衡。这直接意味着，在相同的工况下，您的系统损耗更低，发热更少，可靠性自然水涨船高。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。无论您的项目面临怎样的挑战，这颗芯片都能成为您电路中最坚实、最值得信赖的“开关”。为了确保您能便捷地获得这款优质产品及其技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，以保障货源的正品与稳定。

• 型号:STD10N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD10N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源设计中开关器件的效率瓶颈而烦恼吗？STD10N60DM2就是为您破局的关键。这颗N沟道MOSFET拥有高达650V的击穿电压和8A的连续电流能力，让您在设计反激电源、电机驱动或PFC电路时信心十足，轻松应对高电压输入场景。

它采用了意法半导体先进的MDmesh DM2技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至530毫欧，同时栅极电荷极小。这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升能效等级和产品可靠性。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与安装便利性，是您打造紧凑、高性能功率模块的理想选择。