STD10N60M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和电磁干扰问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STD10N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的MDmesh II Plus技术，为您带来前所未有的高效能与坚固性。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体表现、降低运营成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高要求的LED照明驱动器中，STD10N60M2正以其600V的耐压能力和7.5A的连续电流，从容应对各种严苛工况。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是面对频繁的开关动作，还是需要处理瞬间的功率峰值，它都能保持稳定输出，确保您的终端产品在任何环境下都值得信赖。

选择STD10N60M2，就是选择了一份由顶尖技术与全球供应链保障的安心。其优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动电路设计变得异常简单，有效降低了开关损耗和EMI噪声，帮助您轻松满足日益严格的能效标准。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅确保您能获得原装正品，更能提供专业的技术支持与快捷的供货服务。从原型设计到量产爬坡，这颗芯片都将以其85W的强大功率处理能力和-55°C至150°C的宽广工作温度范围，成为您项目中不可或缺的可靠基石，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:STD10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD10N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压开关管吗？STD10N60M2正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V/7.5A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻与优化的动态参数。

它能显著降低您在开关电源、电机控制或PFC电路中的导通损耗和开关损耗，让您的系统效率轻松提升一个台阶。同时，优异的栅极特性让驱动设计更简单，帮助您有效控制EMI，简化电路布局。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。