STD10N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，这一切不再是想象，STD10N60M6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体备受赞誉的MDmesh M6技术平台，将600V的坚固耐压能力与仅为600毫欧的超低导通电阻完美结合，意味着在相同的电流下，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而不是转化为令人头疼的热量。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是LED照明和消费类电子适配器，STD10N60M6都能游刃有余。其高达6.4A的连续漏极电流承载能力和优化的动态特性，确保了在频繁开关的硬开关或软开关拓扑中，都能实现快速、干净的切换，有效降低电磁干扰（EMI），让您的系统运行更安静、更稳定。在紧凑的DPAK封装内，它实现了功率密度与散热效率的绝佳平衡，让您在有限的空间内也能部署强大的功率处理核心。

选择STD10N60M6，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠保障。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品应对严苛环境的能力，而极低的栅极电荷（仅8.8nC）则大大减轻了驱动电路的负担，让系统设计更简单、更高效。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的ST授权代理身份确保了您能获得从芯片到方案的全程无忧服务。立即采用STD10N60M6，让它成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STD10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD10N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STD10N60M6 N沟道功率MOSFET就是您的理想答案。它基于先进的MDmesh M6技术，拥有600V的高耐压和仅600毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

这颗芯片能轻松应对高达6.4A的连续电流，其优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关动作，让您在设计反激、正激或PFC等电路时游刃有余，有效简化驱动并抑制EMI。无论是追求小型化的适配器，还是要求苛刻的工业电源，STD10N60M6都能在紧凑的DPAK封装内，为您提供稳定、高效的功率开关解决方案，助您打造出更具市场竞争力的产品。