STD10NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD10NM60ND技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压和8A电流的功率开关，以其卓越的能效表现，正在为您的产品注入强劲而稳定的核心动力。这正是STD10NM60ND所带来的变革性价值。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体FDmesh II技术的杰出代表，旨在将高性能与高可靠性完美结合，让您的设计脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和高效照明解决方案，STD10NM60ND都能游刃有余。其600V的漏源电压和8A的连续漏极电流，为应对严苛的工业环境提供了坚实的保障。更关键的是，它极低的导通电阻（典型值仅600毫欧）和优化的栅极电荷，意味着在频繁开关的过程中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率得到显著提升。这直接转化为更长的设备寿命、更低的运行成本，以及更小的散热器需求，帮助您节省宝贵的空间与物料成本。

选择STD10NM60ND，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的FDmesh II技术确保了器件具有出色的开关性能和雪崩耐量，在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，可靠性经得起时间考验。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和表面贴装的便利性，非常适合自动化生产。当您需要这样一颗高性能的“心脏”时，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，不仅能确保原装正品和稳定供货，还能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。现在就为您的下一个项目配备STD10NM60ND，体验高效、可靠与紧凑设计带来的全方位竞争优势。

型号:STD10NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:577 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心开关”吗？STD10NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/8A的强劲功率处理能力，其超低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它能让您轻松应对从工业电源、电机驱动到UPS等多种高压应用场景。优异的动态性能和高达70W的功率耗散能力，确保了系统在苛刻环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠的双重保障。