STD10P10F6

当您的电源管理设计需要在紧凑空间内实现高效能转换时，是否曾为寻找一款兼具高可靠性、低损耗与出色热性能的P沟道MOSFET而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STD10P10F6，这颗源自ST意法半导体STripFET F6系列的明星产品，正是为破解您的能效与空间难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动控制板或电池保护电路中，STD10P10F6正以其P沟道100V/10A的强大规格稳定运行。其低至180毫欧的导通电阻（RDS(on)）意味着更少的导通损耗，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。这直接转化为更长的设备运行时间、更低的温升以及更小的散热需求。无论是驱动小型电机、管理电源开关，还是作为负载开关使用，它都能确保系统响应迅速、运行平稳，让您的终端产品在能效表现上脱颖而出。

选择STD10P10F6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。STripFET F6技术平台赋予了它卓越的开关性能和坚固性，高达175°C的结温（TJ）和40W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的长期可靠性。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD10P10F6成为您下一个成功设计的坚实基石，开启高效、可靠电源管理的新篇章。

• 型号:STD10P10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 80 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD10P10F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源路径上的开关损耗和散热问题头疼吗？STD10P10F6正是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有100V的耐压和10A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅180毫欧@5A,10V）和优化的栅极电荷（16.5nC），能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装，节省空间的同时，凭借40W的功率耗散能力和高达175°C的工作结温，确保了出色的热性能和长期可靠性。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是电机控制，STD10P10F6都能让您轻松构建更紧凑、更节能、更可靠的设计，全面提升产品性能。