STD11NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临功率密度与散热性能难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD11NM50N。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，凭借其MDmesh II技术的卓越基因，将500V的耐压能力与仅470毫欧的超低导通电阻完美结合，为您打开了高效能电源设计的新大门。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统能耗的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STD11NM50N能够如何大显身手。其高达8.5A的连续漏极电流和70W的强大功率处理能力，确保了即使在严苛的负载条件下也能稳定运行，将能量损耗降至最低。更低的栅极电荷（仅19nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。当您的设计需要在有限的PCB空间内实现更大的功率输出时，它的表面贴装DPAK封装提供了极佳的散热性能和布局灵活性，让紧凑型设计不再以牺牲性能为代价。

选择STD11NM50N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与性能保障。其宽泛的工作温度范围（高达150°C结温）赋予了产品出色的环境适应性和可靠性，确保您的终端设备在多样化的应用场景中持久稳定。无论是工业自动化、消费类电源适配器还是新能源领域，这颗芯片都能成为您构建高效、可靠功率系统的坚实基石。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供原装正品，更愿以专业的技术支持，助您将这颗芯片的潜力转化为产品的市场优势，共同开启能效新时代。

• 型号:STD11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD11NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？STD11NM50N正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V高耐压和仅470毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它高达8.5A的电流承载能力和70W的功率耗散，确保了强大的功率处理能力，同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动更简单，开关更迅速。无论是用于开关电源、电机控制还是LED驱动，STD11NM50N都能帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的系统，直接提升您终端产品的市场竞争力。