STD130N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD130N6F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时承载80A大电流、导通电阻却低至5毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。这正是STD130N6F7为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是通往更高能效、更紧凑设计的钥匙。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的强大性能立刻变得生动起来。在服务器电源的DC-DC转换模块中，其极低的Rds(on)意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接提升了整机效率并简化了散热设计。对于蓬勃发展的新能源车车载充电机(OBC)而言，60V的耐压和80A的电流能力提供了充足的余量和可靠性，确保在严苛的汽车电子环境中稳定运行。而在工业电机驱动或大功率LED照明驱动器中，快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，让系统在面对频繁启停或持续高负载时依然从容不迫，大大延长了设备的使用寿命和稳定性。

选择STD130N6F7，就是选择了一份由ST意法半导体尖端STripFET技术背书的信心。其卓越的栅极电荷与输入电容平衡，确保了驱动简单且开关迅速，让您的控制系统响应更敏捷。DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。无论您是在升级现有产品还是开发新一代平台，这颗芯片都能成为您提升竞争力的秘密武器。如需获取样品或技术支持，可以咨询专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD130N6F7赋能您的下一个创意，共同开启高效、可靠的电能驾驭新时代。

型号:STD130N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:134W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
现在可以订购STD130N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流重任又兼顾高效表现的“核心开关”吗？STD130N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达80A的连续电流承载能力，而其导通电阻却可低至惊人的5毫欧。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它专为 demanding 应用而优化，极低的栅极电荷确保快速开关，减少开关损耗，提升整体频率响应。无论是用于提升服务器电源的能效，驱动新能源车的车载充电机，还是控制工业设备中的大功率负载，STD130N6F7都能让您轻松应对高功率挑战。其坚固的DPAK封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更为您的设计提供了坚实的可靠性保障，助您打造出性能出众且耐久耐用的终端产品。