STD13N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD13N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh II Plus技术的强大基因，正在重新定义中高压开关应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效节能目标的得力引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STD13N60M2正以高达600V的漏源电压和11A的连续漏极电流从容应对各种严苛工况。其核心魅力在于极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg），这意味着在频繁的开关动作中，它能将导通损耗和开关损耗双双降至更低，让系统的整体效率轻松跃升一个台阶。无论是工业电源、照明镇流器，还是家用电器中的功率模块，它都能确保能量转换更加干净利落，热量产生更少，系统运行自然更稳定、更持久。

选择STD13N60M2，就是选择了一份安心与超越。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，表面贴装设计让自动化生产高效便捷。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，确保从寒带到热带的全球市场，您的产品都能表现如一。更重要的是，它背后是ST意法半导体深厚的工艺积累与质量承诺。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD13N60M2成为您下一个爆款产品的“心脏”，它将用卓越的性能，为您的设计注入强劲动力与市场信心。

• 型号:STD13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD13N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色可靠性的功率开关管吗？STD13N60M2正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关任务。

它的卓越之处在于，通过优化的内部结构，显著降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着在您的高频开关电路中，它能大幅减少能量损耗，让系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您提升终端产品的能效等级和市场竞争力。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围，更能确保在各种复杂环境下长期稳定工作，让您的设计省心又可靠。