STD13N60M6

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和体积所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与10A电流的功率开关，却拥有极低的导通电阻和开关损耗，这将是怎样一种体验？现在，STD13N60M6的到来，将这种想象变为触手可及的现实。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6系列技术的结晶，旨在为您的设计注入强劲动力与卓越效率。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和照明镇流器，STD13N60M6都能游刃有余地应对挑战。其380毫欧的超低导通电阻（@5A,10V），意味着在传导过程中能量损失被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性。而仅13nC的低栅极电荷，则确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在高频工作时依然保持冷静与高效。这种性能的完美平衡，让它在要求严苛的功率转换应用中脱颖而出，成为工程师信赖的“能量枢纽”。

选择STD13N60M6，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其表面贴装DPAK封装不仅节省了宝贵的电路板空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，确保设备在极端条件下稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从选型到供应的全程服务。让STD13N60M6成为您下一个成功产品的核心引擎，开启高效、可靠、紧凑的电源设计新篇章。

• 型号:STD13N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:509 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:92W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压MOSFET吗？STD13N60M6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh M6技术，集600V耐压、10A电流承载能力于一身，却拥有仅380毫欧的超低导通电阻和13nC的极小栅极电荷。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源转换系统损耗显著降低，效率轻松提升。快速的开关特性让您实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，让整体方案更紧凑。其坚固的DPAK封装和宽工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都能高效、稳定地长期运行，是提升产品竞争力的理想选择。