STD13N65M2

当您需要一款能够在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在STD13N65M2这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率、并最终赢得市场竞争的关键伙伴。源自意法半导体备受赞誉的MDmesh M2产品家族，它集成了前沿的超级结技术，将650V的高耐压能力与极低的导通电阻完美结合，为您带来前所未有的功率处理体验。

想象一下，在您的开关电源设计中，无论是反激式、正激式还是LLC谐振拓扑，这颗芯片都能游刃有余。它那高达10A的连续漏极电流和仅430毫欧的超低导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，系统整体效率得以显著提升，让您的电源产品在能效标准日益严格的今天脱颖而出。而在电机驱动、工业照明或电焊机等要求快速开关和承受高浪涌电流的应用场景中，其优异的动态性能和高达150°C的结温工作能力，确保了系统即使在最恶劣的工况下也能稳定如山，大幅延长了产品的使用寿命和可靠性。

选择STD13N65M2，就是选择了一份放心的保障和强大的性能后盾。其DPAK封装不仅提供了出色的散热性能，也兼容主流的表面贴装工艺，让您的生产流程更加顺畅。更低的栅极电荷和输入电容特性，使得驱动设计更为简单，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。当您致力于打造更高效、更紧凑、更可靠的功率电子设备时，这颗芯片无疑是您理想的核心组件。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供原装正品，更愿成为您技术道路上的合作伙伴，共同将创新的想法变为现实。

• 型号:STD13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD13N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STD13N65M2来为您破局！这颗来自意法半导体MDmesh M2系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的设计更高效、更可靠。

它凭借其革命性的超级结结构，实现了430毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快、驱动更轻松，帮助您有效控制开关损耗。无论是追求极致效率的服务器电源，还是要求稳定耐用的工业设备，它都能让您轻松应对挑战，打造出更具市场竞争力的产品。