STD13NM60ND

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，一个卓越的答案已经出现来自意法半导体FDmesh II家族的STD13NM60ND，正以其突破性的性能，重新定义中高压功率开关的标杆。它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑型电源设计的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，一颗关键功率器件正以极低的导通电阻（仅380毫欧）和超低的栅极电荷（24.5nC）高速切换。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的整体系统效率，以及更低的温升。高达600V的漏源电压和11A的连续电流能力，赋予了它从容应对市电整流后高压环境的强大底气，让您的产品在220V甚至更高电压的输入条件下稳定运行，游刃有余。其卓越的FDmesh II技术，确保了出色的开关性能和雪崩耐量，为系统可靠性上了双重保险。

这颗芯片的价值，在各类应用场景中熠熠生辉。无论是您正在开发的工业级服务器电源、通信设备电源，还是需要高效节能的LED照明驱动、家用电器辅助电源，STD13NM60ND都能成为核心开关管位的理想选择。其表面贴装（DPAK）封装，完美契合现代自动化贴装生产需求，在节省PCB空间的同时，凭借高达109W的功率耗散能力（结温下）和150°C的最高工作结温，提供了强大的散热冗余，让您的设计在紧凑与性能之间无需再做取舍。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。

当您决定采用这颗高性能器件时，选择一个可靠、专业的合作伙伴至关重要。我们作为资深的ST芯片代理，不仅能为您提供稳定供货与原厂品质保证，更能提供深入的技术支持与选型指导。选择STD13NM60ND，您选择的不仅是一个参数优秀的MOSFET，更是一套能够提升产品竞争力、降低系统总成本、并加速您产品上市周期的完整解决方案。让我们携手，用这颗强大的“心脏”，为您下一个电源设计注入澎湃动力与卓越能效！

• 型号:STD13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD13NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和易用性的中高压开关管吗？STD13NM60ND正是为您而来的答案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，其超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低您电源系统中的开关损耗与传导损耗，直接提升整体能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它能让您轻松应对开关电源、PFC电路、电机驱动等应用中的高压切换挑战。DPAK表面贴装封装简化了您的生产流程，而卓越的散热能力（109W Tc）和高达150°C的工作结温，则确保了它在严苛环境下的长期稳定运行。选择STD13NM60ND，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。