STD150N3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD150N3LLH6技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，工程师们是否常常为寻找一颗能在高电流下保持低损耗、响应迅捷且稳定可靠的功率开关而绞尽脑汁？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STD150N3LLH6。这颗源自ST意法半导体DeepGATE与STripFET VI技术家族的N沟道MOSFET，以其30V的耐压和高达80A的连续漏极电流处理能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、缩小产品体积并增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、DC-DC转换器或是电机驱动模块中，STD150N3LLH6能够大显身手。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、40A电流下，Rds(on)最大值仅为2.8毫欧。这意味着在频繁的开关动作中，导通损耗被降至极低水平，宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。对于空间紧凑的服务器电源、高密度工业变频器或是需要长时间运行的电动工具而言，这种高效能直接转化为更长的运行时间、更小的散热需求和更优的系统成本。同时，其优化的栅极电荷（Qg最大值29nC @ 4.5V）确保了快速的开关速度，让您的系统响应如电光火石，特别适合高频开关应用，进一步提升整体动态性能。

为何选择这颗可能已进入停产序列的经典器件？答案在于其无与伦比的成熟度与可靠性价值。虽然零件状态显示为停产，但这恰恰证明了STD150N3LLH6是一款经过海量应用验证的“老兵”，其设计、工艺和性能都达到了极高的稳定水准。对于许多成熟产品线的持续生产、维护或升级，选择这样一颗久经考验的芯片，意味着极低的设计风险、可预测的性能以及供应链的确定性。通过值得信赖的ST授权代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装正品，保障您的生产连续性。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与表面贴装的便利性，175°C的最高结温赋予了它在严苛环境下稳定工作的底气。选择它，就是为您的产品注入一份历经锤炼的卓越与安心。

型号:STD150N3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STD150N3LLH6成为您的高效能量开关。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和80A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的2.8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关运行得更“冷静”，电能利用更充分。

它采用ST先进的DeepGATE技术，栅极电荷优化至仅29nC，这意味着更快的开关速度和更低的高频驱动损耗，让您的系统响应迅捷，动态性能出众。DPAK封装易于焊接和散热，配合高达175°C的结温，确保在紧凑空间和高温环境下依然稳定可靠。选择它，就是选择用一颗久经考验的“效能核心”，轻松构建更高效、更可靠的功率解决方案。