STD15N50M2AG

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受高达500V的电压冲击，同时又要保证快速、高效的开关动作时，选择一款兼具高耐压与低损耗的MOSFET至关重要。现在，STD15N50M2AG的到来，正是为了打破这一僵局，为您带来前所未有的性能飞跃。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，绝非普通的开关器件。它采用了先进的MDmesh M2技术，这意味着在相同的封装下，它能实现更低的导通电阻和更优的开关特性。想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，当电流流过时，仅产生极小的380毫欧导通损耗，这不仅直接提升了整机效率，更能显著降低温升，让系统运行更凉爽、更持久。其高达10A的连续电流处理能力和85W的强大功率耗散能力，确保了即使在严苛工况下也能游刃有余。

无论是面对工业变频器里频繁的PWM切换，还是汽车电子中要求严苛的启停系统，STD15N50M2AG都能完美胜任。其极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，让驱动变得异常轻松，大大减轻了驱动电路的压力，让开关速度更快，系统响应更迅捷。这直接转化为更小的开关损耗和更高的工作频率，为您的产品实现小型化、轻量化提供了坚实保障。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更是为它在新能源汽车、车载充电器等对可靠性要求极高的领域铺平了道路，让您的设计无惧挑战。

选择STD15N50M2AG，就是选择了一份安心与高效。它不仅仅是一个参数优秀的元器件，更是ST意法半导体深厚技术积淀的体现。其表面贴装DPAK封装，便于自动化生产，提升您的制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。当您需要将这份卓越性能集成到您的下一代产品中时，可以通过值得信赖的ST代理商获取正品支持与技术咨询。立即行动，让STD15N50M2AG成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STD15N50M2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD15N50M2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关吗？STD15N50M2AG正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，核心采用ST先进的MDmesh M2技术，能将导通电阻降至惊人的380毫欧，让电能传输过程中的损耗大幅降低，直接为您提升系统整体能效。

它卓越的开关特性是另一大亮点。极低的栅极电荷和输入电容，让您能够轻松实现快速、干净的开关动作，显著减少开关损耗，并允许使用更简洁的驱动电路。这不仅简化了您的设计，更能支持更高的工作频率，助力产品实现小型化与轻量化。无论是工业电源、电机驱动，还是符合汽车级标准的严苛应用，它都能让您的系统运行更稳定、更可靠。

选择STD15N50M2AG，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。其DPAK表面贴装封装便于生产，宽广的工作温度范围适应各种环境。让它来担当您系统中的功率核心，您将轻松获得更优的性能、更高的可靠性以及更具竞争力的市场优势。