STD16N50M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出STD16N50M2，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎，凭借其卓越的500V耐压和高达13A的连续电流能力，为您的设计注入强劲而可靠的心脏。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是高效充电器的核心电路中，STD16N50M2正以其低至280毫欧的导通电阻（Rds(on)）默默工作，将导通损耗降至极低，这意味着更少的能量以热量形式浪费，更多的能量被有效利用。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，不仅提升了整体频率响应，更能显著降低开关损耗，让您的系统在高效与可靠之间找到完美平衡。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的消费类应用，它都能游刃有余。

选择STD16N50M2，就是选择了一份从容与信心。它采用坚固可靠的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了高达110W的强大散热能力，轻松应对高功率密度设计的挑战。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性。更重要的是，通过我们信赖的ST中国代理，您可以获得稳定、正品的货源供应和专业的技术支持，确保您的项目从设计到量产一路畅通。别再让普通的功率器件限制您的想象力，立即采用STD16N50M2，开启高效、可靠、紧凑的电源新纪元，让您的产品在市场中脱颖而出！

• 型号:STD16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD16N50M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率不高而烦恼吗？STD16N50M2正是您期待的解决方案！这颗来自ST意法半导体的500V/13A N沟道MOSFET，采用先进的MDmesh技术，能为您大幅降低导通与开关损耗，轻松实现更高能效的电源设计。

它让您的高功率应用运行得更冷静、更可靠。极低的Rds(on)和优化的动态参数，意味着更少的能量浪费和更出色的热管理，助您轻松应对服务器、工业驱动、充电设备等场景的严苛要求。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的竞争力。