STD17NF03LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD17NF03LT4技术参数详情：

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一个高效的解决方案已经到来STD17NF03LT4，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生。它采用先进的STripFET II技术，将卓越的导通性能与出色的开关特性融为一体，为您带来前所未有的功率转换体验。想象一下，在紧凑的空间内实现高达17A的连续电流处理能力，同时将导通电阻控制在极低的50毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效利用，直接为您的产品带来更长的运行时间和更低的温升。

无论是需要精密控制的电机驱动，还是对效率极为敏感的DC-DC转换器，亦或是空间受限的便携式设备电源管理，STD17NF03LT4都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境的强大韧性。在电动工具启停的瞬间，在车载充电器高效运作时，在LED驱动稳定发光的背后，这颗芯片都在默默提供着可靠、高效的功率开关支持，让您的终端产品性能更稳定，竞争力更强劲。

选择STD17NF03LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数优秀的元器件，更是您提升产品能效、优化系统设计、加速项目上市的有力伙伴。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步降低了动态损耗。而标准的DPAK表面贴装封装，则让它在自动化生产中如鱼得水，有效提升您的制造效率。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，请务必联系官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全程专业服务。立即将STD17NF03LT4纳入您的设计，开启高效、可靠、节能的新篇章！

型号:STD17NF03LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关核心吗？STD17NF03LT4正是您期待的答案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达17A的连续电流处理能力，其超低的导通电阻（仅50毫欧@10V）能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为追求效率的设计而生。极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快，动态损耗更低，轻松应对高频开关应用。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和稳健的电气特性，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的“心脏”。