STD180N4F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD180N4F6技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够显著降低导通电阻，让能量传输更顺畅、系统运行更清凉的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STD180N4F6，它正是为解决这些核心挑战而生。

这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，在40V的电压平台上，能够持续承载高达80A的强劲电流。其最引人注目的亮点在于极低的导通电阻在10V驱动电压、40A电流条件下，最大值仅为2.8毫欧。这意味着在相同的负载下，STD180N4F6产生的热量将大幅减少，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要爆发性扭矩的电机驱动，亦或是新能源车车载充电机(OBC)中的高效能量转换，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

选择STD180N4F6，就是选择了一份可靠与高效并存的保障。其紧凑的DPAK表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它无惧严苛环境挑战，从工业自动化到消费电子，适应性极强。虽然该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定。让STD180N4F6成为您下一个爆款产品的“能量心脏”，释放无限潜能，赢得市场竞争先机。

型号:STD180N4F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:130W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能同时兼顾大电流与低损耗的开关解决方案吗？STD180N4F6 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，拥有40V耐压和高达80A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率应用设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借极低的2.8毫欧导通电阻（@10V, 40A），能显著减少开关和传导过程中的功率损耗，让您的电源模块、电机驱动器或DC-DC转换器运行得更凉爽、更高效。这意味着更长的设备续航、更小的散热器需求以及整体系统可靠性的提升。其优化的栅极电荷特性，还能让您轻松实现高速开关，进一步提升整体能效。