STD1NK60T4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD1NK60T4技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为平衡性能与成本而烦恼？想象一下，一颗能够轻松驾驭600V高压，同时将导通损耗降至极低的功率开关，将为您的产品带来怎样的性能飞跃与市场优势？这正是STD1NK60T4为您呈现的答案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为那些对可靠性与效率有严苛要求的应用而生。

无论是家用电器中的辅助电源、LED驱动，还是工业控制中的小功率开关电源，STD1NK60T4都能游刃有余。其1A的连续漏极电流和仅为8.5欧姆的低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗更少，发热更低，从而让您的系统运行更凉爽、更持久。搭配其高达30W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，即使面对恶劣的环境与持续的工作负载，它也能展现出卓越的稳定性，为您的产品可靠性保驾护航。

选择STD1NK60T4，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术确保了其在高压下的出色开关性能和坚固性。其DPAK表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，有效降低您的整体制造成本。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程服务。让这颗高效、可靠的芯片，成为您下一款明星产品中默默奉献却至关重要的核心动力，助力您在市场竞争中赢得先机。

型号:STD1NK60T4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的小功率开关解决方案吗？STD1NK60T4正是为您而来。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术，拥有600V的耐压和仅1A的连续电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅8.5欧姆）和栅极电荷，这能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源设计效率更高、发热更少。

这颗芯片能轻松集成到您的AC-DC转换器、电机驱动辅助电路或LED照明驱动器中。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定工作，大大提升了您终端产品的耐用性和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的高效动力核心。