STD1NK80Z-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD1NK80Z-1技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否正为寻找一款兼具高耐压与可靠性的功率开关器件而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD1NK80Z-1。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和SuperMESH技术的加持，正重新定义中小功率应用中的性能标杆。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的信心之选。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）辅助电源、LED照明驱动或是家用电器中的功率控制单元里，STD1NK80Z-1正默默发挥着核心作用。它能够轻松应对严苛的电压环境，确保在电流浪涌和电压尖峰下依然稳定工作。其通孔IPAK封装，兼顾了优异的散热性能和坚固的机械结构，特别适合那些对长期可靠性和生产便利性有高要求的工业及消费类产品。无论是需要高效节能的适配器，还是要求精准控制的电机驱动，这颗芯片都能无缝融入，成为您设计蓝图中最可靠的那一块拼图。

选择STD1NK80Z-1，意味着您选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。ST意法半导体的SuperMESH技术，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的开关损耗和更高的整体效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种极端环境下都能游刃有余。更重要的是，当您通过正规的ST一级代理渠道获取时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，还有专业的技术支持和完整的供应链服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即将STD1NK80Z-1纳入您的选型清单，开启高效、可靠的产品升级之旅！

型号:STD1NK80Z-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为电源设计中的高压开关难题寻找答案吗？STD1NK80Z-1就是为您量身定制的利器。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和1A的连续漏极电流，让您能轻松驾驭开关电源、LED驱动、家用电器控制等应用中的高压侧开关任务。

它的优势在于极致的高效与可靠。极低的导通电阻（最大16欧姆）和栅极电荷（仅7.7nC），意味着更小的导通损耗和更快的开关速度，直接助力提升您的系统整体能效。同时，其坚固的IPAK通孔封装和45W的功率耗散能力，确保了出色的散热性能和长期运行稳定性。选择STD1NK80Z-1，就是选择让您的设计更精简、性能更强劲、运行更安心。