STD25N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD25N10F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体新一代功率开关解决方案STD25N10F7，这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，将100V的耐压与仅35毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。它不仅仅是一个开关，更是您系统可靠性与性能飞跃的基石。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器模块中，STD25N10F7凭借其卓越的开关特性，能显著降低导通和开关损耗，让电源效率轻松突破95%大关。在电机驱动应用中，无论是电动工具还是无人机电调，它高达25A的连续电流能力和优异的栅极电荷特性，确保了迅猛的响应速度和强劲的动力输出，同时将温升控制在理想范围内。对于需要高可靠性的工业电源、通信设备或汽车辅助系统，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，提供了坚实的保障，让您的产品无惧严苛环境挑战。

选择STD25N10F7，就是选择了一份来自技术前沿的承诺。其DeepGATE技术带来了更稳健的雪崩耐量和更低的栅极电荷，这意味着更低的驱动损耗和更高的系统可靠性。标准DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是表面贴装设计的理想选择。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，请认准官方授权的ST一级代理，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。立即行动，让STD25N10F7成为您下一个成功设计的核心动力！

型号:STD25N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能兼顾高效、可靠与紧凑的功率开关吗？STD25N10F7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和25A的强大电流能力，其核心价值在于采用先进的STripFET VII技术，实现了惊人的低导通电阻（仅35毫欧@10V），能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理设计运行得更“冷静”、更高效。极低的栅极电荷（14nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，而宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则确保了它在各种苛刻环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力核心。