STD25NF10T4

在追求更高能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能显著降低导通电阻、提升开关速度的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计效率和产品性能。这正是STD25NF10T4为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET以其100V的耐压和高达25A的连续电流能力，为您构建了一个坚固而高效的功率处理核心。其低至38毫欧的导通电阻，意味着在相同的电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量，让您的系统运行更凉爽、更持久。

无论是服务器电源、工业变频器，还是新能源车载充电器，STD25NF10T4都能游刃有余。在紧凑的DPAK封装内，它集成了卓越的电气特性：仅需10V的驱动电压即可实现极低的导通阻抗，而优化的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换，这对于高频开关电源提升效率至关重要。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是极寒的户外设备还是内部高温的密闭空间，它都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的产品注入了高可靠性与长寿命的基因。

为何众多工程师在众多选项中青睐STD25NF10T4？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的完美平衡。它不仅仅是一个参数表上的元器件，更是您提升产品市场竞争力的战略伙伴。通过我们专业的ST代理服务，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持到技术方案的全方位服务。让这颗凝聚了ST先进STripFET II技术的功率器件，成为您下一个成功项目的强大引擎，轻松实现更高能效、更小体积和更强可靠性的设计目标，助您在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STD25NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？STD25NF10T4就是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V/25A的强劲功率处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅38毫欧）和优化的开关特性。这意味着它能显著减少导通损耗和开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它专为要求严苛的应用而设计。无论是服务器电源、工业电机控制，还是汽车辅助系统，STD25NF10T4都能凭借其DPAK封装的便捷性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），轻松应对挑战。选择它，就是选择了一份可靠与高效，让您的产品设计事半功倍，在性能和可靠性上赢得先机。