STD27N3LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD27N3LH5技术参数详情：

想象一下，您的电源管理方案需要一颗能在狭小空间内处理大电流的“心脏”，同时还要保持冷静与高效，这听起来是否像是一个苛刻的挑战？这正是STD27N3LH5诞生的初衷。作为ST意法半导体STripFET V家族的明星成员，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能，重新定义了30V电压等级下的功率密度与效率标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性和能效表现的得力伙伴。

当我们将目光投向实际应用，STD27N3LH5的身影活跃在众多关键领域。无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC同步整流环节，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中需要快速响应的负载开关，它都能游刃有余。其高达27A的连续漏极电流和低至19毫欧的导通电阻，意味着在电机驱动或LED照明驱动电路中，它能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效功，而非令人头疼的热量。即使在紧凑的DPAK封装内，它也能在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备从酷寒到炎夏都能持续可靠运行。

那么，在众多选择中，为何工程师们对这颗芯片青睐有加？答案在于它精准平衡了性能、尺寸与驱动简易性。4.5V的低栅极驱动电压使其能与现代低压微控制器轻松对接，而极低的栅极电荷则确保了超快的开关速度，有效减少了开关损耗，提升了整体频率响应。对于追求供应链稳定与专业支持的客户，通过值得信赖的ST代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取深入的技术支持。选择STD27N3LH5，就是选择了一种经过市场验证的高效解决方案，它让您的设计在性能巅峰与成本控制之间找到了完美的黄金平衡点，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

型号:STD27N3LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:30W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能兼顾大电流与低损耗的MOSFET而烦恼吗？让STD27N3LH5来为您排忧解难！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为高效电源转换和电机控制而生。它能在30V电压下承载高达27A的连续电流，而其惊人的低导通电阻（仅19毫欧）能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

得益于STripFET V先进技术，它拥有极低的栅极电荷和输入电容，这意味着您可以轻松实现高速开关，提升电源频率响应，同时简化驱动电路设计。无论是用于同步整流、负载开关还是电机驱动，STD27N3LH5都能让您以紧凑的DPAK封装，获得强大的功率处理能力和卓越的可靠性，轻松应对各种严苛应用挑战。