STD2N62K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD2N62K3技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭620V高压与2.2A电流，却将导通电阻和栅极电荷双双压至低位的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃？答案就在STD2N62K3之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是SuperMESH3技术精髓的体现，它用高达45W的功率处理能力和150°C的结温，为您的设计构筑了坚实可靠的能量基石。

无论是紧凑型开关电源(SMPS)、高要求的LED照明驱动，还是需要高效功率转换的工业辅助电源，STD2N62K3都能游刃有余。其3.6欧姆的低导通电阻（@1.1A, 10V）意味着更低的传导损耗，而仅15nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗，让系统整体效率轻松攀升。在空间受限的PCB上，其DPAK表面贴装封装提供了优异的散热性能和便捷的装配工艺，让工程师能够更专注于系统架构的创新，而非被散热难题束缚手脚。

选择STD2N62K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它代表了在高压、高效率与高可靠性之间的完美平衡。当您需要为关键应用寻找值得信赖的功率核心时，这颗芯片就是那个能让您放心的答案。我们作为专业的ST代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供深入的技术支持，帮助您将这颗强大芯片的潜力完全释放，赋能您的产品在竞争中脱颖而出。

型号:STD2N62K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压应用的开关效率而烦恼吗？STD2N62K3正是为您而来的高效解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（3.6Ω）与栅极电荷（15nC），能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升您的电源或驱动电路的整机效率。

它能让您的设计运行得更凉爽、更稳定。高达45W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它出色的可靠性，轻松应对严苛的工作环境。无论是用于反激式转换器、功率因数校正(PFC)还是电机控制，STD2N62K3都能以DPAK封装的紧凑身形，为您实现高效、紧凑且可靠的功率管理，简化设计挑战，加速产品上市。