STD2NK60Z-1

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的稳定性和效率而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD2NK60Z-1。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和优化的动态特性，正是为提升您的系统能效与可靠性而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建高效、紧凑、耐用电源系统的信心基石。

想象一下，在那些对空间和成本敏感的应用场景中，比如紧凑型开关电源(SMPS)的初级侧、家用电器中的辅助电源、或是LED照明驱动的功率级，STD2NK60Z-1能够大显身手。其1.4A的连续漏极电流承载能力，配合仅8欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。这直接转化为更高的整体效率，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借更优的能效表现和更长的使用寿命脱颖而出。无论是应对频繁启停的工况，还是需要长时间稳定运行的设备，它都能提供坚实的性能保障。

选择STD2NK60Z-1，就是选择了一份源自顶级半导体制造商的技术传承与品质承诺。SuperMESH技术确保了其在高压下依然拥有出色的开关性能和可靠性。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典和延续性项目升级、备货的明智之选。通过值得信赖的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保产品的原装正品与可靠供应，还能获得专业的技术支持与供应链服务，让您的产品开发与生产全流程无后顾之忧。让这颗久经考验的芯片，成为您打造高品质、高可靠性电力电子产品的得力伙伴。

• 型号:STD2NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD2NK60Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

当您需要一颗能在600V高压下稳定、高效工作的开关核心时，STD2NK60Z-1正是为您准备的答案。它基于ST先进的SuperMESH技术，不仅轻松扛住高压冲击，其低至8欧姆的导通电阻更能显著减少功率损耗，直接帮助您提升系统整体能效，让热量管理变得更简单。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源、LED驱动或小型电机控制电路运行得更冷静、更持久。仅需10V驱动电压即可实现高效导通，配合优化的栅极电荷，有助于简化您的驱动电路设计。其坚固的I-PAK通孔封装确保了出色的散热能力和机械可靠性，让您在应对-55°C至150°C的严苛工作温度范围时充满信心。